참여대학협의회 나노융합기술인력양성 교육프로그램 추진계획(안)

추진배경

가. 목적

○ 포항공과대학교 나노융합기술원 참여대학협의회(영남대학교, 대구대학교, 계명대학교, 대구가톨릭대학교, 경일대학교, 위덕대학교)의 학부 및 석/박사들을 대상으로 기술원의 최첨단 나노인프라를 활용하여 나노기술장비활용 현장맞춤형 고급인력양성인 “참여대학협의회 나노융합기술인력양성 교육프로그램”을 추진

나. 필요성

○ 나노융합분야 인력의 수요 및 공급 전망

- 나노융합산업이 빠른 성장속도를 유지하고, 제조업 전반에 걸쳐 확산된다면 나노기업의 인력 수요의 확대에 대응하여 다양한 인력공급체계를 늘려나가야 할 것으로 예상됨.

- 나노융합산업에서의 고용은 나노융합산업의 성장에 의하여 2020년 56.6만 명까지 늘어날 것으로 예상되며, 상당 부분은 제조 및 생산 인력에 의한 수요의 증가에서 비롯될 것으로 예상됨

- 향후 인력 채용시 가장 필요하다고 기업들이 예상하는 분야로 ‘공정’(26%)이 가장 높게 나타나고 그 다음으로는 ‘측정분석’ 20%, ‘설계’ 14%, ‘소재’ 13%, ‘연구개발’ 9% 순으로 조사된 바 있음.

- 국내 나노분야의 교육은 대학을 중심으로 점차 확산되어가고 있는 분위기이지만, 현장에서 필요로 하는 산업현장에서의 인력에 대한 교육은 이루어지지 않고 있음.

(나노융합분야 필요 채용 예정 인원)

2. 교육프로그램 개요

가. 교육목적 : 기업이 요구하는 첨단전문분야 기술교육을 우수인프라가 갖추어진 전문연구 및 교육기관에서 실시하여 기술교육 효과의 극대화를 목적으로 함.

나. 교육내용 : 교육내용은 각 참여대학에서 선택이 가능하게 교육생 수준에 A코스 나노소자공정교육 및 B코스인 나노측정분석교육, C코스인 나노융합기술교육(반도체/OLED/측정분석)으로 구성

※ 수료자에게는 나노융합기술원 코스별 NINT 수료증 발급

다. 교육일수 및 인원 : 코스별 선택가능 (아래표 참조)

라. 교육일자 : 각 참여대학별 일정 협의 후 확정

마. 교 육 비 : 1일 1인당 50만원(과정별 교육비용(상이) 참조)

※ 교육비는 각 대학별 현물출자 상환금에서 정산가능

3. 세부 교육과정

구분	교육내용	방법	일수	인원
A코스	나노소자공정교육	실습	2일	10명~20명
B코스	나노측정분석교육	실습	2일	10명~20명
C코스	나노융합기술교육 (반도체/OLED/측정분석)	이론+실습	5일	20명~40명

가. 나노소자공정교육 (A코스)

○ 교육목표

- 반도체 공정과정을 기초적으로 습득하여 세부 장비를 다루기 전, 전체 흐름 파악

- 생소한 반도체 관련 장비의 이해를 통한 현장투입 전 이해도 향상

- 기초장비 이해를 통하여 집중실습 과정 체험 가능

○ 교육개요

- 반도체 Fabrication 공정인 포토, 에칭, 확산, 박막 공정 이해

- 각 파트의 장비개요 및 작동법 습득

- 전공정 이해를 통한 반도체 생산라인 이해

○ 실습장비

장비명	활용용도	사용면적(㎡)	훈련인원
Laser Lithography Sys	포토공정 실습	클린룸 2,372㎡	10명~20명
Atomic Layer Deposition
E-Beam Lithography SysⅠ
E-Beam Lithography SysⅡ
Mask Aligner for NEMS
NEMS Base System
Atomic Layer Deposition	확산공정 실습
UHV-CVD
Sputter - 1
Furnace
E-Beam Evaporator
LP-CVD System	박막공정 실습
PE-CVD-1
Dry Etcher_ICP	에칭공정 실습
Dry Etcher_20nm급
Wet Station_Acid System
CD-SEM
Process Monitoring System
Deep Reactive Ion Etcher

나. 나노측정분석교육 (B코스)

○ 교육목표

- 최첨단 장비의 실습을 통해 나노스케일 측정 및 분석능력 향상

- 소재 측정에 따른 분석방법 연구

- 분석결과 파악 능력 향상

○ 교육개요

- Dual Beam FIB 장비를 통한 시편 제작법 습득

- FE-SEM 장비를 통한 이미지 형상화 능력 향상

- SIMS 장비를 통한 2차원 질량 분석법 습득

- SPM 장비를 통하여 3차원 표면분석 능력 습득

- 시편제작 장비를 통하여 TEM / 3DAP / FIB 시편 제작 능력 습득

○ 실습장비

장비명	활용용도	사용면적(㎡)	훈련인원
HR FE-SEM	FE-SEM 장비를 통한 이미지 형상화	특성평가실 267㎡	10~20명
Dual Beam FIB	FIB 장비를 통해 TEM, 3DAP 시편 제작
SIMS	2차이온 분석 실습
SPM System	원자탐침현미경 기초 습득
Sample Prep.	TEM / 3DAP / FIB 시편 제작

다. 나노융합기술교육(반도체/OLED/측정분석) (C코스)

○ 교육목표

- 산업현장에서 필요한 나노기술, 첨단분야 연구개발 관련 기술, 장비응용기술, 장비활용기술 등에 대하여 전문가 중심의 발표와 토론을 중심으로 한 이론 교육프로그램 실시

- 나노관련분야 전문기술능력 향상을 위하여 장비 및 기술분야의 전문가 실습을 통한 기초, 집중, 심화, 응용교육 실시

- 나노융합교육을 통한 분석 및 공정 전문인 양성

○ 교육개요

- 반도체, MEMS, OLED, 재료 및 분석분야 박사급 연구원 이론강의

- 이론강의와 연계한 실습교육 병행

- 전체적인 실습교육 프로그램과 더불어 희망 장비 심화교육으로 편성

○ 실습장비

장비명	활용용도	사용면적(㎡)
Laser Lithography Sys	포토공정 실습	클린룸 2,372㎡
Atomic Layer Deposition
E-Beam Lithography SysⅠ
E-Beam Lithography SysⅡ
Mask Aligner for NEMS
NEMS Base System
Atomic Layer Deposition	확산공정 실습
UHV-CVD
Sputter - 1
Furnace
E-Beam Evaporator
LP-CVD System	박막공정 실습
PE-CVD-1
Dry Etcher_ICP	에칭공정 실습
Dry Etcher_20nm급
Wet Station_Acid System
CD-SEM
Process Monitoring System
Deep Reactive Ion Etcher
HR FE-SEM	FE-SEM 장비를 통한 이미지 형상화	특성평가실 267㎡
Dual Beam FIB	FIB 장비를 통해 TEM, 3DAP 시편 제작
SIMS	2차이온 분석 실습
SPM System	원자탐침현미경 기초 습득
Sample Prep.	TEM / 3DAP / FIB 시편 제작

○ 교육시간표

시간	교육내용			장소	인원
10:00 ~ 12:00 (120‘)	이론교육	1일차	반도체 기초와 응용	국제회의실	최대 40명
		2일차	MEMS 기초와 응용
		3일차	차세대 디스플레이 및 에너지
		4일차	재료의 종류와 응용
		5일차	분석 기초
12:00~13:00	점심식사			구내식당
13:00 ~ 17:00 (240‘)	실습교육	1일차	특성평가 실습 (APT)	특성평가실
			특성평가 실습 (FIB)
			특성평가 실습 (SEM/SPM)
			특성평가 실습 (SIMS)
		2일차	특성평가 실습 (APT)	특성평가실
			특성평가 실습 (FIB)
			특성평가 실습 (SEM/SPM)
			특성평가 실습 (SIMS)
		3일차	반도체 공정 실습 (포토/에칭)	클린룸
			반도체 공정 실습 (박막/확산)
			반도체 공정 실습(Cleaning, D/W)
			디스플레이 공정
		4일차	반도체 공정 실습 (포토/에칭)	클린룸
			반도체 공정 실습 (박막/확산)
			반도체 공정 실습(Cleaning, D/W)
			디스플레이 공정
		5일차	심화실습교육	특성평가실 /클린룸
			POSTECH Tour	POSTECH
			수료식	국제회의실

3. 교육비용

가. 교육비 : 나노융합기술원 현물장비사용료에서 공제

1) A 및 B코스

※ 소자 및 측정분석교육은 실습시간이 6시간/1일로 교육단가 700,000원/1명으로 책정

NO	교육과정	교육시간	교육비용
1	나노소자공정교육	6시간×2일	700,000원×2일×20명=28,000,000원
2	나노측정분석교육	〃	700,000원×2일×20명=28,000,000원

2) C코스

※ 나노융합기술교육은 실습시간이 4시간/1일로 교육단가 500,000원/1명으로 책정

NO	교육과정	교육시간	교육비용
1	나노융합기술교육	6시간×5일	500,000원×5일×40명=100,000,000원

※ 세부 단가표

항 목	비 목	합 계	비 고
장비 사용료	반도체 장비	35,000,000	포토, 에칭, 박막, 확산 공정
	디스플레이 장비	15,000,000	OLED 공정
	분석 장비	35,000,000	FIB, APT, SIMS, SEM/SPM실습
	소 계	85,000,000
재료비	반도체 재료	7,000,000	8" Bare Wafer 외
	디스플레이 재료	3,000,000	ITO/Class, 유기물 외
	분석 재료	5,000,000	측정 Sample, Tip 외
	소 계	15,000,000
총 액		100,000,000

나. 직접경비 : 참여대학교에서 자체부담

⇒ 교육생 식비, 버스대여비, 기타경비 등 실비 정산

교육 인프라 활용계획

가. 시설여건

순번	강의실명	강의실 면적(㎡,A)	정원 (명, B)	1인당면적 (C=A÷B)	보유방법	연수생 편의시설
1	주사탐침현미경실	(56.529㎡)	40	1.41	자체	AFM, STM 실습실
2	3차원현미경분석실	(155.702㎡)	40	3.89	자체	FIB, SEM, APT, SIMS 실습실
3	클린룸	(2,376㎡)	40	59.4	자체	반도체, OLED 공정 실습실
4	시편준비실	(48.595㎡)	40	1.21	자체	특성평가 시편준비 실습실
5	유기소자실험실	(158㎡)	40	3.95	자체	OLED 소자 측정 실습실
6	나노소재합성실	(74㎡)	40	1.85	자체	OLED 소자 측정 실습실
7	세미나실	(71.405㎡)	40	1.78	자체	교육생 전용 교육공간
8	전용강의실	(85.272㎡)	40	2.13	자체	교육생 전용 교육공간
9	전산실	(56㎡)	16	3.5	자체	PC활용 교육장
계 : 9 개

나. 장비여건(교육용 기자재 등)

순번	강의실	장비명	단위	수량	용도
1	클린룸	Laser Lithography Sys	ea	1	600nm급 직접노광
2	클린룸	Atomic Layer Deposition	ea	1	HfO2, Al2O3 원자층 금속증착
3	클린룸	E-Beam Lithography SysⅠ	ea	1	4nm급 직접노광
4	클린룸	E-Beam Lithography SysⅡ	ea	1	10nm급 고속 직접노광
5	클린룸	UHV-CVD	ea	1	Si,Si-GeEpi형성
6	클린룸	Sputter - 1	ea	1	금속박막증착
7	클린룸	LP-CVD System	ea	1	SiO2, Si3N4, Poly-Si 증착
8	클린룸	PE-CVD	ea	1	박막TFT형성,저온산화막형성
9	클린룸	Dry Etcher_ICP	ea	1	Metal 및 세라믹 건식 식각
10	클린룸	Dry Etcher_20nm급	ea	1	20nm급 식각
11	클린룸	Wet Station_Acid System	ea	1	APM/DHF/SPM, QDR
12	클린룸	Furnace	ea	1	산화막 증착
13	클린룸	CD-SEM	ea	1	CD 측정
14	클린룸	RTP for RTO,Silicide	ea	1	Metal silicide 및 Anneal
15	클린룸	EUVL PR Track	ea	1	PR coating, Develop
16	클린룸	Process Monitoring System	ea	1	금속 박막 면저항 측정
17	클린룸	Mask Aligner for NEMS	ea	1	UV노광, 6"&4" 조각 및 BSA 가능
18	클린룸	NEMS Base System	ea	1	NEMS Cleaning, baking, wet etching
19	클린룸	E-Beam Evaporator	ea	1	Au, Cr, Ti, Al, Ni 등 금속증착
20	클린룸	Deep Reactive Ion Etcher	ea	1	Si 고종횡비 식각
21	클린룸	OLED Evaporation System	ea	1	OLED 제작용 유기 증착
22	클린룸	OMBD&Metal Evaporation System	ea	1	OTFT 제작용 유기 및 금속증착
23	클린룸	PECVD System	ea	1	플라즈마 화학 기상 증착기
24	클린룸	OLED Probe Station with Glove Box	ea	1	OLED소자의 I-V, C-V특성 측정
25	클린룸	I-Line Stepper	ea	1	5X Reticle에 의한 0.5um급 L/S 노광
26	클린룸	PR Asher_FEOL	ea	1	FEOL 공정의 잔류 PR 제거 및 Etch
27	클린룸	Furnace_Pyro Oxidation System	ea	1	습식열산화막 성장
28	분석실	HR FE-SEM	ea	1	나노재료의 표면 및 형태관찰
29	분석실	Focused Ion Beam/EBSD	ea	1	나노소자 구조관찰 및 가공
30	분석실	SPM System	ea	1	표면분석
31	분석실	SIMS	ea	1	미량원소 정량분석
32	분석실	HR-[S]TEM	ea	1	투과전자빔에 의한 구조/성분분석
33	분석실	3 Dimensional Atom Probe	ea	1	3차원 원자성분 위치 측정
34	분석실	Sample Preparation System	ea	1	TEM, AP 샘플준비
35	분석실	MPMS	ea	1	나노소재 극저온 자기특성측정

Laser Lithography Sys	Atomic Layer Deposition	E-Beam Lithography SysⅠ
E-Beam Lithography SysⅡ	UHV-CVD	Sputter - 1
LP-CVD System	PE-CVD	Dry Etcher_ICP
Dry Etcher_20nm급	Wet Station_Acid System	Furnace
CD-SEM	Process Monitoring System	Mask Aligner for NEMS
NEMS Base System	E-Beam Evaporator	Deep Reactive Ion Etcher
OLED Evaporation System	OMBD&Metal Evaporation System	PECVD System
OLED Probe Station with Glove Box	HR FE-SEM	Focused Ion Beam/EBSD
SPM System	SIMS	HR-[S]TEM
3 Dimensional Atom Probe	Sample Preparation System	MPMS
I-Line Stepper	PR Asher_FEOL	Furnace_Pyro Oxidation System
RTO for Silicide	EUV-IL PR Track